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简介
晶体管特征尺寸随着制造工艺的进步而不断缩小。这种趋势虽然提高了芯片的性能,却恶化了集成电路的参数偏差效应，对电路在其服役期内的可靠性造成了严重的威胁和挑战。本书主要涉及在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应Ｇ负偏置温度不稳定性和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响，并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。
编辑推荐
本书可作为大规模集成电路设计或可靠性设计工程师的参考资料，也可作为电子专业研究生的参考书。
更多出版物信息
- 版权： 清华大学出版社
- 出版： 2019-06-01
- 更新： 2023-07-10
- 书号：9787302522997
- 中图：TN431.2
- 学科：工学电子科学与技术工学信息与通信工程交叉学科集成电路科学与工程
