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纳米数字集成电路老化效应——分析、预测及优化

作者： 靳松、韩银和

出版社： 清华大学出版社

出版日期： 2012-06-01

电子书 ： ￥13.65 （ 定价：21.0 ） 纸书价格￥13.70，点此比价

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简介

本书的主要内容涉及一种公认的纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应--负偏置温度不稳定性（NBTI) 。介绍了NBTI效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响。从提高NBTI效应影响下电路可靠性的角度，论述了相应的硅前分析、在线预测和优化方法。本书可为从事大规模数字集成电路可靠性设计及容错计算方向研究的科技人员，以及从事大规模集成电路设计和测试的工程技术人员提供参考；也可作为普通高等院校集成电路专业的教师和研究生的参考资料。

编辑推荐

介绍了nbti效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响。从提高nbti效应影响下电路可靠性的角度，论述了相应的硅前分析、在线预测和优化方法。

更多出版物信息
  • 版权： 清华大学出版社
  • 出版： 2012-06-01
  • 作者：靳松、韩银和
  • 更新： 2023-10-13
  • 书号：9787302285434
  • 中图：TN431.2
  • 学科：
    工学
    电子科学与技术
    工学
    信息与通信工程
    交叉学科
    集成电路科学与工程

作者信息

靳松、韩银和

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